工研院：台积电切入新兴记忆体具优势

随着人工智慧趋势兴起，台积电拥有逻辑製程技术，将有望进入高阶新兴记忆体领域；工研院电子与光电系统研究所长吴志毅分析，一旦台积电跨足新兴记忆体领域，将比既有记忆体厂商有优势。

国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI）今天在新竹国宾饭店登场，吴志毅表示，随着人工智慧崛起，电脑架构运算方式改变，需要新元件技术，包括磁阻随机存取记忆体（MRAM）等新兴记忆体适用于这类运算。

吴志毅说，届时，记忆体厂商将会依据应用面分不同等级，符合低功耗与速度快的需求应用面，会由新兴记忆体负责，传统的快闪记忆体（Flash）及动态随机存取记忆体（DRAM）还是持续存在。

吴志毅进一步说，既有的记忆体厂普遍缺乏逻辑製程技术，若要切入新兴记忆体发展，其门槛难度高，台积电却因为有逻辑製程技术，显然较具有优势。

吴志毅指出，工研院投入新兴记忆体研发已超过 10 年，累积不少的人才与硅智财（IP），与台积电的合作不便公开，可以确定的是台积电在新兴记忆体发展，工研院将会有贡献。

（作者：张建中；首图来源：科技新报）