就在晶圆代工龙头台积电已经进入 5 奈米製程量产,并且大量採用极紫外光刻设备(EUV)的情况下,美商半导体设备商科磊(KLA)于 21 日宣布,推出革命性的 eSL10 电子束图案化晶圆缺陷检测系统。透过该项新的检测系统,可以发现相关光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷,藉此以加快高性能逻辑和记忆体晶片,其中包括那些依赖于极紫外光刻(EUV) 技术的晶片的上市时间。
就在晶圆代工龙头台积电已经进入 5 奈米製程量产,并且大量採用极紫外光刻设备(EUV)的情况下,美商半导体设备商科磊(KLA)于 21 日宣布,推出革命性的 eSL10 电子束图案化晶圆缺陷检测系统。透过该项新的检测系统,可以发现相关光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷,藉此以加快高性能逻辑和记忆体晶片,其中包括那些依赖于极紫外光刻(EUV) 技术的晶片的上市时间。