冲刺先进製程，美商应材推新技术以解决平面微缩重大瓶颈

半导体设备大厂美商应材，21 日宣布推出新式的选择性钨 (Selective Tungsten) 製程技术，可提供晶片厂商以新的方式构建电晶体触点，这是连结电晶体与晶片中其他电路非常关键的第一层电路。而藉由这项创新的选择性沉积技术，可以降低影响电晶体性能并增加耗电量的接触电阻。另外，这项技术，电晶体的节点微缩与触点能缩小至 5 奈米、3 奈米甚至更小，并同步提升晶片功率、性能与面积/成本 (chip power, performance and area/cost，PPAC)。