三星 512GB eUFS 3.1 投产，传 Galaxy Note 20 率先採用

智慧手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存晶片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产 512GB 的 eUFS 3.1 储存晶片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。

三星表示 512GB 的 eUFS 3.1 储存晶片，连续写入速度将超过 1,200MB/s，比起现在相同容量 eUFS 3.0 储存晶片的 400MB/s，速度快达 3 倍。同时 512GB  eUFS 3.1 储存晶片的随机读写表现为 100,000 / 70,000 IOPS，亦较 eUFS 3.0 的产品快 60%。三星指新储存晶片只需 90 秒就能完成 100GB 的档案传输，旧款要 4 分钟以上，特别适合用于储存 8K 高解析度影片。

有消息指三星可能会将 512GB 的 eUFS 3.1 储存晶片，率先应用于下半年的旗舰手机 Galaxy Note 20 系列；之后三星还会陆续生产和供应 128GB 和 256GB 的 eUFS 3.1 储存晶片。