三星跳电事件激励买方预期性补货，2020 Q1 DRAM 合约价起涨

据 TrendForce 记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 日三星华城厂区发生跳电，虽然整体记忆体供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。因此，TrendForce 再次修正 2020 年第一季 DRAM 合约价格预测，由原先的"大致持平"调整为"小涨"，价格正式提前翻转向上。

在标準型记忆体，虽然第一季的价格仍在议定中，但 TrendForce 预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关税的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季出货，导致 2020 年第一季的出货较为疲弱。但考量今年 DRAM 的供给位元成长幅度仅不到 13%，加上三星跳电事件的影响，PC OEM 厂已做好 DRAM 即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在採购上愿意接受持平或更高的模组合约价格；若原厂能够在第一季增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。

行动式记忆体方面，虽然第一季智慧型手机市场在 5G 的议题下所有支撑，但因 5G 晶片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能依旧偏弱，因此 TrendForce 原先预测行动式记忆体 Discrete / eMCP 价格将较前一季下跌 0-5%。然而自去年 12 月中开始，除了伺服器记忆体与绘图用记忆体需求增温，带动整体价格走势提前反转之外，NAND Flash 的供应告急同样激励 eMCP 的价格表现，因此将行动式记忆体的价格预估由"小跌"调整为"大致持平"。

至于利基型记忆体，由于三星华城厂区 Line 13 的 DRAM 生产重心主要为 20 / 25nm 的利基型记忆体产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型记忆体价格将提早反弹。目前来看，虽然锁定季合约价（quarterly lock-in price）的第一线大客户有机会守住持平，不过原厂的供货达成率 （fulfillment rate）不到六成，加上採购端截至去年底皆未积极备货，导致库存偏低，月合约价可能将开始逐月向上；此外，重複下单（double-booking）的出现亦可能导致原厂的供货达成率进一步恶化，因此第一季 DDR3 和 DDR4 的价格预估将较前一季上涨 0~5%。

（首图来源：shutterstock）