三星成功开发业界首见 3 奈米 GAA 製程技术，效能增 30%

三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款 3 奈米 GAA 製程技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1 月 2 日访问了华城（Hwaseong）晶片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。

BusinessKorea、韩国先驱报（Korea Herald）报导，三星电子新开发的 3 奈米 GAA 製程技术，有望协助公司达成"2030 年半导体愿景"（即于 2030 年在系统半导体、记忆体晶片领域成为业界领导者）。GAA 是当前 FinFET 技术的升级版，可让晶片商进一步缩小微晶片体积。

李在镕 2 日访问了华城晶片厂，听取 3 奈米製程技术的研发简报，并与装置解决方案（device solutions，DS）事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。

跟 5 奈米相较，採用 3 奈米 GAA 製程技术的晶片尺寸小了 35%、电力消耗量降低 50%，但运算效能却能拉高 30%。三星计划在 2022 年量产 3 奈米晶片。

三星去年发表了 133 兆韩圜（相当于 1,118.5 亿美元）的投资计画，目标是在 2030 年成为全球顶尖的系统单晶片（SoC）製造商。