集邦：三星跳电预期冲击小，惟记忆体类股 2 日早盘开始反映

针对 2019 年 12 月 31 日南韩三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面採用 EUV 技术来生产系统半导体的部分，分析机构指出，在跳电时间较短的情况下，虽然影响缩小到可控制的範围内。但是，其真正的损失数字仍有待三星在进行完产线检查后进一步公布。不过，相关的市场影响已开始发酵，2 日台股早盘，相关记忆体族群都已有股价表现。