工研院 IEEE 发表新世代记忆体论文，为 FRAM、MRAM 带领未来商机

工研院于 10 日美国举办的 IEEE 国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM），发表 3 篇铁电记忆体（Ferroelectric RAM，FRAM）及 3 篇磁阻随机存取记忆体（Magnetoresistive Random-Access Memory，MRAM）相关技术重要论文，引领创新研发方向，并为新兴记忆体领域发表最多重要论文者。