记忆体市场逐渐复甦当下,南韩记忆体大厂 SK 海力士于 21 日宣布,开始开发适用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 级16Gb DDR4 DRAM 记忆体。根据 SK 海力士的指出,相较于上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等级 DRAM,该产品的生产效率提高了 27%,并且可以在不用高价的 EUV 及紫外光刻技术的情况下进行生产,将具成本竞争力。
记忆体市场逐渐复甦当下,南韩记忆体大厂 SK 海力士于 21 日宣布,开始开发适用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 级16Gb DDR4 DRAM 记忆体。根据 SK 海力士的指出,相较于上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等级 DRAM,该产品的生产效率提高了 27%,并且可以在不用高价的 EUV 及紫外光刻技术的情况下进行生产,将具成本竞争力。