根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系记忆体大厂美光科技 (Micron) 正式宣布,将採用第 3 代 10 奈米级製程 (1z nm) 来生产新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程来生产的 DRAM 将会是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 记忆体。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在 2019 年底前,在美光位于台湾台中的厂区内建立量产产线。
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系记忆体大厂美光科技 (Micron) 正式宣布,将採用第 3 代 10 奈米级製程 (1z nm) 来生产新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程来生产的 DRAM 将会是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 记忆体。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在 2019 年底前,在美光位于台湾台中的厂区内建立量产产线。