目前,两大韩系 NAND Flash 厂商──三星及 SK 海力士在之前就已经公布了新 NAND Flash 产品的发展规划。其中,三星宣布推出 136 层堆叠的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士则是宣布成功开发出 128 层堆叠的 4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。不过,虽然两家厂商竞相推出 NAND Flash 的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划,预计在 2030 年推出 800+ 层的 NAND Flash,届时将可轻鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。