Cree 专注于功率及射频元件开发，后续发展需持续观察

全球 SiC 晶圆市场规模约为 8 千多亿美元，SiC 晶圆与 GaN on SiC 磊晶技术大厂 Cree 为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议 2019 年 5 月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建一座先进自动化 8 吋 SiC 晶圆生产工厂与一座材料超级工厂（Mega Factory），期望藉此扩建案，提升 Cree 在 SiC 晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供 GaN on SiC 先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件。