新一代 High-NA EUV 设备，艾司摩尔预计 2025 年量产

当前半导体製程微缩到 10 奈米节点以下，包括开始採用的 7 奈米製程，以及未来 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程，EUV 极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备。藉由 EUV 设备导入，不仅加快生产效率、提升良率，还能降低成本，使不仅晶圆代工业者积极导入，连 DRAM 记忆体的生产厂商也考虑引进。为了因应製程微缩的市场需求，全球主要生产 EUV 设备的厂商艾司摩尔（ASML）正积极开发下一代 EUV 设备，就是 High-NA（高数值孔径）EUV 产品，预计几年内就能正式量产。