半导体先进製程发展扩大 EUV 市场需求，ASML 可望持续受惠

先进製程奈米节点持续微缩下，光刻机是重要关键设备。12 吋晶圆主要光刻机为 ArF immersion 机台，可涵盖 45nm 一路往下到 7nm 节点的使用範围，雷射光波长最小微缩到 193nm；针对 7nm 节点以下製程，EUV（Extreme Ultra-Violet）极紫外光使用光源波长为 13.5nm，确保先进製程持续发展的可能性。