三星紧追台积电脚步，宣布完成 5 奈米製程研发

16 日，南韩三星在官网上发文表示已完成 5 奈米 FinFET 製程技术的开发，并且已经可以为用户提供样品。根据公布的资料指出，与 7 奈米相比，三星的 5 奈米 FinFET 製程技术将逻辑区域效率提高了 25%，功耗降低了 20%，性能提高了 10%，进而可以在更小的晶片面积当中提供更强的性能，并且功耗更低。另外，三星也同时宣布，在 6 奈米和 7 奈米製程技术方面也有了重大的进展。