在动态随机存取记忆体(DRAM)製程陆续进入 1X 及 1Y 製程领域之后,全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布,首次业界开发第 3 代 10 奈米等级(1Z 奈米製程)8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 奈米製程 DRAM 之后,经历 16 个月,再开发出更先进製程的 DRAM 产品。
在动态随机存取记忆体(DRAM)製程陆续进入 1X 及 1Y 製程领域之后,全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布,首次业界开发第 3 代 10 奈米等级(1Z 奈米製程)8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 奈米製程 DRAM 之后,经历 16 个月,再开发出更先进製程的 DRAM 产品。