南韩媒体 Korea Herald 週二报导,有鑒于全球半导体市况不佳,三星为避免记忆体价格快速滑落,正考虑放慢明年记忆体增产速度。
消息人士透露,三星装置解决方案部门上週举行半年度策略会议,由副董座金奇南(Kim Ki-nam)亲自主持,讨论明年记忆体预期供过于求的因应之道,会中谈到可能调整 DRAM 与 NAND 快闪记忆体增产步速。
据报导,三星计划将明年 DRAM 位元成长率(Bit growth)降低至两成以下,NAND 快闪记忆体则是压在三成以下。对照三星上个月公布第三季财报时,DRAM 位元成长率预估年增 20%,NAND 快闪记忆体预估年增 40% 左右。(ibtimes.com)
位元成长率以位元容量估计晶片供给增加的量,用以协助晶片厂估计产能。在位元成长率较低的状况下,三星在增产方面的投资也会转趋保守。
Borneobulletin.com 报导,由于全球半导体景气展望负面,三星已调降第四季财测,明年展望也蒙上阴影。分析师预期 2019 上半年记忆体需求下滑,价格将走跌,直到下半年才可能回稳。
据南韩券商估计,三星第四季营业利润将下滑至 13 兆韩圜,对照第三季的 17.57 兆韩圜,季减 26%。