随着 NAND Flash 快闪记忆体及 DRAM 价格不断下跌,2019 年记忆体市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失,包括记忆体大厂三星、SK 海力士(SK Hynix)及美光都计划减少资本支出。不过,降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了,就在本週,SK Hynix 正式开工建设第 7 座半导体工厂──M16 厂,总投资不低于 15 兆韩圜(约 133 亿美元)。虽然还没确定最终生产 NAND Flash 还是 DRAM,但是这座晶圆厂确定将会採用最先进的 EUV 光刻技术。
随着 NAND Flash 快闪记忆体及 DRAM 价格不断下跌,2019 年记忆体市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失,包括记忆体大厂三星、SK 海力士(SK Hynix)及美光都计划减少资本支出。不过,降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了,就在本週,SK Hynix 正式开工建设第 7 座半导体工厂──M16 厂,总投资不低于 15 兆韩圜(约 133 亿美元)。虽然还没确定最终生产 NAND Flash 还是 DRAM,但是这座晶圆厂确定将会採用最先进的 EUV 光刻技术。