积体电路製程突破,由成功大学物理系吴忠霖教授、国家同步辐射研究中心陈家浩博士等人组成的团队,成功研发出仅单原子层厚度(0.7 奈米)且具优异逻辑开关特性的二硒化钨二极体。据团队说法,负责运算的传输电子被限定在单原子层内,将大幅降低干扰并增加运算速度,若未来应用在数位装置,运算速度预期可超过现今电脑千倍、万倍。
积体电路製程突破,由成功大学物理系吴忠霖教授、国家同步辐射研究中心陈家浩博士等人组成的团队,成功研发出仅单原子层厚度(0.7 奈米)且具优异逻辑开关特性的二硒化钨二极体。据团队说法,负责运算的传输电子被限定在单原子层内,将大幅降低干扰并增加运算速度,若未来应用在数位装置,运算速度预期可超过现今电脑千倍、万倍。