SK 海力士宣告第二代 10 奈米级 DRAM 2019 年 Q1 量产

SK 海力士週一宣布，已成功开发第二代 10 奈米製程 DDR4 DRAM，效能与省电方面均有显着改善。

根据 SK 海力士表示，对比第一代 10 奈米製程，第二代提升记忆体效能两成，耗电量降低 15%，资料传输率则上看 3,200 Mbps，预定明年第一季开始量产。（韩联社）

SK 海力士宣称採用四象时脉（four-phase clocking）技术，可使讯号传输速度加倍，效果如同高速公路增设收费站以加快汽车通行量。除此之外，SK 海力士还同时改善电晶体结构，以降低资料传输的错误率。

SK 海力士计划拓展 10 奈米等级 DRAM 应用範围至桌上型电脑、伺服器与行动装置等，并将视市况机动调整产出。

据市调机构 Dramexchange 上週五表示，DRAM 现货市况停滞，多数买家仍预期价格走跌，整体价格偏弱，依旧呈现下行趋势。