相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料 SiC 与 GaN(氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使晶片面积大幅减少,并简化周边电路设计,达成减少模组、系统周边零组件及冷却系统体积目标,GaN 应用範围包括射频、半导体照明、雷射器等领域。
相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料 SiC 与 GaN(氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使晶片面积大幅减少,并简化周边电路设计,达成减少模组、系统周边零组件及冷却系统体积目标,GaN 应用範围包括射频、半导体照明、雷射器等领域。