全球首款！SK 海力士成功研发 96 层 4D NAND，年内量产

韩联社、东亚日报日文版报导，南韩半导体大厂 SK 海力士（SK Hynix Inc.）于 4 日宣布，已成功研发出较现行 3D 架构 NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）进一步进化的"4D NAND Flash"产品。SK 海力士表示，现行大多数厂商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，电荷储存式快闪记忆体），而 SK 海力士则是在 CTF 架构上追加"PUC（Peri Under Cell）"技术，研发出全球首款堆叠 96 层的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 产品。

SK 海力士指出，和现行 72 层 512Gb 3D NAND Flash 相比，4D NAND Flash 的晶片尺寸缩小 3 成，每片晶圆的生产性增至 1.5 倍，读速、写速分别提升 30%、25%。

SK 海力士干部表示，"将在今年内量产 4D NAND Flash，且计划利用最近完工的清州工厂 M15 产线进行正式量产"。

SK 海力士计划在今年内发表採用 4D NAND Flash、容量为 1TB 的消费性固态硬碟（SSD）产品。

截至台北时间 5 日上午 10 点 00 分为止，SK 海力士大跌 3.03% 至 70,400 韩圜；SK 海力士上週五（2 日）股价飙涨 6.30%，收 72,600 韩圜，创约一个月来（10 月 1 日以来）新高水準。