供需失衡，DRAM 与 NAND Flash 第四季至明年价格双双走跌

根据 TrendForce 记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新调查，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM 第三季合约价格季涨幅缩小到仅 1~2%，第四季可能反转下跌 5%，也不排除跌幅持续扩大的可能性，终结价格连 9 季上涨的超级週期（super cycle）。而 NAND Flash 均价在第三季下跌约 10% 之后，第四季因受中美贸易战波及，预估跌幅将大于第三季，扩大至约 10~15%，通路市场主流 3D TLC 颗粒合约价跌幅甚至将超过 15%。

DRAMeXchange 指出，下半年削弱 DRAM 需求的主要原因，包括智慧型手机硬体规格已难以吸引换机需求，导致旺季出货表现平淡；伺服器市场出货动能出现杂音，以及 PC / NB 市场因 Intel 平台供货不足而受到冲击等。

而观察下半年的供给状况，虽然各大原厂都意识到 2019 年供过于求的态势底定，因此试图延后或放缓增加资本支出以及新产能扩产计画。但由于 1X / 1Y 製程的比重持续增加以及良率稳定提升，使得今年第三、四季的位元产出持续增加，尤其以 1Gb 获利能力最佳的伺服器记忆体为最。因此，伺服器记忆体的价格恐怕很快将开始走弱，连带使得整体 DRAM 平均销售单价下跌。

展望 2019 年，虽然各家对后续新增产能的计画较为保守，但投片量仍逐渐上升，再加上明年也将持续受惠于 1X / 1Y 製程进入成熟期，DRAMeXchange 预计整体供给位元年产出将成长近 22%。明年 DRAM 价格跌幅仍取决于需求端的变化，尤其是伺服器的出货以及单机搭载量是否有足够的成长动能。目前预估 2019 年 DRAM 价格年均价将下滑约 15~20%，但如果伺服器以及智慧型手机需求出现重大修正，价格恐怕会有进一步下滑的风险。

NAND Flash 市场同样受消费性电子产品需求不如预期影响，而伺服器 / 资料中心对于 Enterprise SSD 需求虽然稳定成长，但由于产品毛利较高，成为 NAND Flash 原厂的必争之地，导致 Enterprise SSD 价格不断走跌。从供给端来看，2018 年下半年由于 64 / 72 层 3D NAND Flash 的良率持续提升与产能扩增，主要供应商皆纷纷上修产出预测。

DRAMeXchange 也预期，2019 年上半年因处于传统淡季，加上中美贸易战风暴持续发酵，因此对智慧型手机、笔记型电脑以及平板电脑等主要消费性产品的出货量预估都不乐观，价格持续走跌的可能性偏高。2019 年下半年 NAND Flash 原厂是否放缓各自 96 层转进速度与新产能扩充的脚步，将是影响届时供需缺口的关键因素。以目前各厂商初步规画来看，2019 年第四季 NAND Flash 整体产能会比 2018 年第四季增加 5%，其中，3D 产能将会较 2018 年第四季大幅增加 20%。因此，DRAMeXchange 认为，NAND Flash 业者未来很可能下修原先对于 2019 年资本支出的规画。

（首图来源：shutterstock）