供过于求加上旺季不旺,DRAM 第四季合约价跌幅恐扩大至 5%



根据 TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查,时序进入 9 月下旬,正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机,但受到位元产出持续增加,以及旺季需求并未明显增温的影响,价格走弱的态势更为明显,DRAM 第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌 1~3%,扩大至约 5%。

DRAMeXchange 资深协理吴雅婷指出,DRAM 价格在过去 9 季期间大幅上扬,但从今年第三季起价格已经开始走弱,其中 PC DRAM 与伺服器记忆体价格涨幅缩小至 1~2%,而行动式记忆体价格在旺季仅持平开出,绘图用记忆体更率先出现跌价。观察现货市场状况,价格从年初一路下滑,并在今年 6 月底开始正式低于合约价,而目前的现货价格已经低于合约价格约 10%,显示后续合约价格仍将继续下跌。

伺服器记忆体跌幅扩大,DRAM 整体市况转弱

从伺服器记忆体市场来观察,受惠于平台转换与资料中心建案挹注,伺服器需求比往年来的热络,但今年上半年因 DRAM 供给仍吃紧,导致终端纷纷以超额订单(double booking)的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升伺服器产品的产出比重,供给达成率已转趋饱和。展望第四季,除了伺服器需求出现杂音外,目前由于通路价格持续开低,韩系原厂已率先降低第四季价格标的,预估季跌幅将达 5% 左右,高于原先预期的 2%。

与伺服器记忆体产品属性较为相近的 PC DRAM 同样呈现供过于求,再加上 Intel 新平台供货不足影响笔电出货状况,导致 PC DRAM 第四季价格跌幅也上看 5%。利基型记忆体则受到中美贸易战带来的不确定性因素影响,需求已出现下修,价格也从 9 月开始下跌,第四季的跌幅更可能超过 PC DRAM 与伺服器记忆体。

占整体供货比重最大的行动式记忆体价格同样呈现下滑趋势。展望第四季,虽然在新款 iPhone 出货的拉升下,需求逐渐增温,但由于新款机种的定价高于市场预期,销售预估转为保守,因此难以反转 DRAM 供过于求的态势。预估分离式(discrete)行动式记忆体第四季价格跌幅约在 3%,eMCP 解决方案则因 NAND Flash 价格下滑更为快速,整体跌幅可能扩大至 8%。

(首图来源:shutterstock)

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