三星 FinFET 製程遭自家南韩科学技术院控告侵权,判罚 4 亿美元罚金

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南韩三星为了多元化营收来源,这两年晶圆代工业务为重点发展项目,2018 年率先推出 7 奈米 EUV 製程,抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。但三星如今似乎"吃紧弄破碗",FinFET 製程惹上了麻烦。根据南韩媒体报导,上週三星被美国法院判决,侵犯自家南韩科学技术院(KAIST)的专利,需赔偿 4 亿美元。但三星对此表示不服,将再提出上诉。

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