高通拥抱三星 EUV 製程，抢攻 5G 行动晶片

三星、高通週四宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代 5G 行动晶片，将採用三星 7 奈米 LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）製程。

新闻稿指出，透过 7 奈米 LPP EUV 製程，骁龙（Snapdragon）5G 晶片组可减少占位空间，让 OEM 厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进晶片设计，将可明显增进电池续航力。

三星 7 奈米製程首度导入极紫外光微影技术，预期可藉此突破摩尔定律（Moore’s Law）。对照 10 奈米 FinFET 製程，三星 7 奈米 LPP EUV 工序较少、良率较高，且效能提高一成，耗电减少最多 35%。

另外，三星 7 奈米厂本週五将动土，预计最快明年量产，但预料应该赶不上当年度 Galaxy S10 与 Note 10 的上市时程。（androidheadlines）