记忆体不同调，DRAM 仍紧、NAND 恐过剩

记忆体明年市况恐将不同调，动态随机存取记忆体（DRAM）市场仍将持续吃紧，储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场则将于明年上半年转为供过于求。

DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。

记忆体模组厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见鬆动迹象。NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。

另一记忆体模组厂威刚表示，短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题，并未有大幅破坏产业生态的计画，持续正面看待 DRAM 市况。

NAND Flash 方面，威刚指出，随着供应商 3D NAND Flash 良率逐步改善，预期明年第 1 季整体供需将出现转变。

美国记忆体製造厂美光（Micron）预期，明年 DRAM 位元供给将增加约 20%，市场环境仍将持续健康；NAND Flash 位元供给则将增加近 50%，供给增加幅度将远高于 DRAM。

（记者：张建中；首图来源： 美光科技）