联电推出 40 奈米 SST 嵌入式快闪记忆体製程，东芝 MCU 评估採用

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晶圆代工厂联电 21 日宣布，推出 40 奈米结合 Silicon Storage Technology（SST）嵌入式 Super Flash 非挥发性的记忆体製程平台。而新推出的 40 奈米 SST 嵌入式快闪记忆，较当前量产的 55 奈米製程在单元尺寸上减少逾 20% ，并使整体记忆体面积缩小 20% 到 30%。目前，日本半导体大厂东芝电子元件暨储存产品公司已开始评估其微处理器（MCU）晶片于联电 40 奈米 SST 技术製程平台的适用性。

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