Rambus 揭露下一代记忆体速度，DDR5 与 HBM3 频宽再翻倍

Intel Pentium 4 发售初期，因为市面没有其他足以匹配 FSB 前端汇流排速度的记忆体，而选择採用较不常见的 RDRAM 搭配，其后的主要技术来源即为 Rambus 公司。近日 Rambus 在一场投资者会议谈到未来记忆体趋势，DDR5 和 HBM3 传输速度相较现行产品均翻倍。

如果大家还记得 Rambus 公司，可能都是较为负面的消息，但这家公司手上依然有许多记忆体技术专利，虽然主导的 RDRAM 无论在消费或企业市场都以失败收场，每年却靠这些专利拥有破亿美元的授权收入，在技术上依然有其领导地位。

根据 ComputerBase 网站的消息，Rambus 近日于投资者会议稍微透露下世代记忆体的规格，HBM3 将使用 7 奈米製程製造，具备 4000Mbps 传输速度，DDR5 同样使用 7 奈米，预期将有 4800Mbps~6400Mbps 的传输速度。这些单 pin 针脚传输传输速度，若是乘上 1024bit 和 64bit 的汇流排位元宽度，则最高相当于 500GB/s 和 50GB/s。

▲ HBM3 和 DDR5 预计最高频宽均能翻倍。（Source：ComputerBase）

现在谈下世代记忆体速度只是展望，HBM2 在显示卡市场还不是相当普及，DDR4 在 AMD 和 Intel 2 家的标準支援速度也才刚刚跨过等效 2666MHz 门槛，还没有达到 JEDEC 制定的最高规格 3200MHz。Rambus 所提的 7 奈米製程，预计还要经过好几年才有办法进入量产阶段。