三星推出 11 奈米 FinFET 製程,并宣布 7 奈米製程将全面导入 EUV

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随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米製程建厂计画落脚台湾南科后,10 奈米以下个位数製程技术的竞争正式进入白热化。台积电对手三星 29 日也宣布,开始导入 11 奈米 FinFET,预计 2018 年正式投产,也宣布将在新一代 7 奈米製程全面採用 EUV 极紫外线光刻设备。

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