半导体资本支出估创高，DRAM 增 53% 最多

研调机构 IC Insights 预估，今年全球半导体资本支出金额估达 809 亿美元，将创下历史新高纪录；其中，DRAM 今年资本支出将激增 53%，是增加幅度最大的产品领域。

今年上半年半导体资本支出大幅增加，IC Insights 将今年度半导体资本支出预估金额，自先前的 756 亿美元，调高到 809 亿美元，较去年增加 20%，并将一举刷新历史新高纪录。

IC Insights 预估，今年动态随机存取记忆体（DRAM）资本支出金额将达 130 亿美元，较去年大增 53%，是增加幅度最大的领域；儘管这些支出将主要用以推进技术，不过，SK 海力士（SK Hynix）也将增加产能。

储存型快闪记忆体（NAND Flash）今年资本支出将达 190 亿美元，仍将高于 DRAM 的水準，也将较去年增加 33% ，IC Insights 认为，NAND Flash 的资本支出将主要投入 3D NAND Flash 製程技术。

晶圆代工今年资本支出约 228 亿美元，将较去年略增 4%，是半导体资本支出金额最多的领域，所佔比重将达 28%。

（作者：张建中；首图来源：shutterstock）