三星新 V-NAND 记忆体，容量 1Tb

三星电子 NAND Flash 技术再升级，9 日宣布研发出容量达 1 Tb（terabit）的 3D NAND 晶片，预计明年问世。

Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 晶片（即垂直堆叠的 3D NAND），容量是当前最大记忆体 512Gb（gigabit）的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die，构成一组 V-NAND 组，每组记忆体容量可达 2TB（terabyte）。三星宣称，该技术是过去 10 年来记忆体的最大进展之一。

1Tb 相当于 126GB，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智慧和物联网，数据密集的应用程式大增，Flash 记忆体扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。

不只如此，三星也秀出 NGSFF 固态硬碟（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，将于今年第四季量产。

三星 2016 年发表 Z-SSD 技术，现在首度发表採用此一技术的 SZ985 固态硬碟，宣称可用于资料中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬碟的七分之一。