三星、SK 海力士半导体投资历史高！外资：DRAM 不致过剩

看好 DRAM、NAND 型快闪记忆体的发展，三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK 海力士（SK hynix Inc.）传出今年的投资额，将刷新历史新高纪录。

韩联社 2 日报导，消息显示，三星、SK 海力士今年的投资额将高达 30 兆韩圜（相当于 267 亿美元）。其中，三星已在上半年对设备投资了 12.5 兆韩圜，直逼去年一整年的投资额度 13.1 兆韩圜；专家估计，三星今年的投资总额或许会攀升至 20 兆韩圜，而 V-NAND 型快闪记忆体、影像感测器和晶圆代工业务将是投资重点。

SK 海力士也决定在今年对设备投资 9.6 兆韩圜，希望能扩充 DRAM 和 NAND 型快闪记忆体产能，比稍早预定的 7 兆韩圜还要高出一些。SK 海力士一名主管说，这些投资旨在满足市场对 DRAM、NAND 型快闪记忆体日益增多的需求，另外也是为长远的未来做打算。

不少人担忧，三星、SK 海力士投资大增，恐怕会让产能过剩，最终导致供给过多、报价下滑。美国记忆体大厂美光（Micron Technology）最近就因为市场忧心供需失衡，股价连番下挫，自 7 月 24 日起跌迄今，股价已重挫逾 11%。

不过，barron`s.com 1 日引述 TheFlyontheWall 报导，美系外资分析师 Christopher Danely 发表研究报告指出，美光股价近来虽因市场担忧记忆体产能过多而下滑，但今年增加的 DRAM 资本支出（从 89 亿美元上升至 99 亿美元）其实并不多，不致于会导致产业景气降温。