个人电脑 DRAM 模组供不应求，未来合约价有持续调涨空间

根据平面媒体《工商时报》的报导，近期个人电脑的 4GB DDR3/DDR4 模组均价已经上涨至 28.5 美元，涨幅达到 5%。其上涨的主要原因，是因为因应智慧型手机与资料中心云端伺服器出货量增加，造成包括三星、SK 海力士以及南亚科三大 DRAM 厂将产能转去生产行动设备与伺服器专用 DRAM 下，使得个人电脑用 DRAM 产能吃紧的缘故。因此，包括一线个人电脑的 ODM 与 OEM 厂为巩固货源下，同意 DRAM 厂调涨合约价。

报导指出，就目前整体 DRAM 市场来看，在三大 DRAM 厂于 2017 年并无新增产能的情况下，未来的位元成长只能依赖製程微缩所带动的成长。不过，这过程中还有新製程转换良率的问题，再加上日前台湾美光桃园厂所发生气体外洩污染事件，都使得市场面临供需吃紧的情况，市场预估 2017 年下半年 DRAM 供不应求的情况将会持续到年底。

根据集邦科技对市场的研究表示，目前主流的 4GB DDR3/DDR4 模组合约均价 7 月份已经调涨至 28.5 美元的价格，相较第 2 季均价涨幅约为 5%。预计，整体第 3 季 DRAM 合约价已经上涨约 5% 之后，第 4 季仍会会再上涨的空间。累计个人电脑 DRAM 模组的合均价 2017 年以来，则已经由 18 美元涨至 28.5 美元，涨幅已经高达 58%。

报导中进一步指出，第 3 季个人电脑用 DRAM 合约价调涨的动作，势必带动行动装置与伺服器专用 DRAM 的涨价趋势。这样的情况，对于国内记忆体大厂南亚科来说，因为 20 奈米製程上在 5 月取得客户验证并提前量产，年底前产能可以达到每月 3 万片，2018 年上半年再精进到每月 3.8 万片的情况下，未来的获利可望逐渐成长。

另外，在全球记忆体龙头南韩的三星方面，因应市场产品短缺的情况，将可能会把位于华城 Line 17 厂中部份 NAND Flash 产能迁移到平泽厂，再设法增加每月 4 万到 5 万片的 DRAM 产能，以供应客户需求。

至于，另一家南韩记忆体大厂 SK 海力士方面，则是希望能在 M14 厂调配出每月 2 万片的空间，用以建置 DRAM 新生产线。至于，美光在日本广岛及台湾桃园的产能则已经达到满载状态，目前正积极规划的台中厂二期产能，预计建置 17 奈米每月 3 万到 4 万片产能。但预计量产的时间必须要到 2018 年下半年，目前恐来不及因应市场的需求。

（首图来源：shutterstock）