传三星跳级直攻 6 奈米，拟 2019 年量产

据传台积电 7 奈米微缩製程大幅超前三星电子，成功夺走高通 7 奈米处理器大单。南韩消息称，三星恨得牙痒痒，打算直攻 6 奈米製程扳回一城。

韩媒 etnews 27 日报导，台积电花最少精力研发 10 奈米，跳级直取 7 奈米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从 10 奈米直攻基于 7 奈米的 6 奈米製程，目标 2019 年量产 6 奈米。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在 6 奈米，今年将装设两台艾司摩尔（ASML）极紫外光（EUV）微影设备"NXE3400B"，明年还会装设 7 台。

三星导入 EUV 可以减少光罩层数、节省成本。台积电首批 7 奈米製程并未使用 EUV，仍使用 ArF 液浸装置，处理时间较长、成本也较高。半导体业界人士称，三星电子曾跳过 20 奈米，抢攻 14 奈米，取得成功；台积电也跳过 10 奈米，直取 7 奈米，赢得市场先机。如今三星购入 EUV 设备，将与台积电激烈厮杀。

etnews称，三星打算 2019 年量产 6 奈米。台积电拟于 2018 年量产 7 奈米，并计划在第二代 7 奈米製程使用 EUV 机台，目标 2019 年量产二代 7 奈米晶片。