东芝明年量产 96 层 3D NAND，QLC 产品 8 月送样

全球第 2 大 NAND 型快闪记忆体厂东芝（Toshiba）28 日宣布，已携手 SanDisk 研发出全球首款採用堆叠 96 层製程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠 96 层的 3D NAND 试作品为 256Gb（32GB）、採用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智慧型手机、平板电脑和记忆卡等市场。

上述堆叠 96 层的 3D NAND 将利用东芝四日市工厂"第 5 厂房"、"新第 2 厂房"以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的"第 6 厂房"进行生产。

东芝今后也计划推出採用堆叠 96 层製程技术的 512Gb（64GB）3D NAND 产品以及採用全球首见的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技术的 3D NAND 产品。

东芝目前已量产堆叠 64 层的 3D NAND 产品，而和 64 层产品相比，96 层 3D NAND 每单位面积的记忆容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。

东芝并于 28 日宣布，已试做出全球首见、採用 4bit/cell（QLC）技术的 3D NAND 产品
，且已完成基本动作及基本性能的确认。该款 QLC 试作品为採用堆叠 64 层製程技术，实现业界最大容量的 768Gb（96GB）产品，已于 6 月上旬提供给 SSD 厂、控制器厂进行研发使用。

（Source：东芝）

东芝表示，堆叠 16 片 768Gb 晶片，实现业界最大容量 1.5TB 的 QLC 技术产品预计于 2017 年 8 月送样，且该款 1.5TB 产品将在 8 月 7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的"Flash Memory Summit 2017"上进行展示。