三星冲市佔，64 层 NAND 快闪记忆体宣布量产

三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 快闪记忆体已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含伺服器、PC 与行动装置的储存解决方案。

64 层 V-NAND 快闪记忆体用称为第四代 V-NAND 晶片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代晶片佔每月生产比重拉高至五成以上。

其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 晶片的固态硬碟（SSD），自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 IT 产业同步化。

三星 64 层 V-NAND 快闪记忆体传输速度达每秒 1Gb，市面上同类型记忆体产品中无人能出其右。若与 48 层产品相比，64 层快闪记忆体的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。

三星目前是 NAND 龙头，2016 年市佔率为 36%，在第四代 NAND 晶片量产后，三星可能陆续调降第二、三代晶片价格，除可进一步扩大市佔外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。