次代记忆体大厮杀！三星发表 MRAM 要给 Note 8 用？

次世代记忆体大战开打，英特尔研发"3D cross point"技术，拟推"PRAM"。三星电子不甘示弱，发表"MRAM"（magnetoresistant random access memory，磁阻式随机存取记忆体），号称读写速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTimes、南韩经济日报报导，三星 24 日发表"MRAM"，此种次世代记忆体兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点，无须电源也能储存资料，而且处理速度极快。三星宣称，MRAM 是非挥发性记忆体，採用自旋传输科技（Spin-torque transfer）读写数据，速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此，MRAM 更省电，使用时（active）耗电量比传统记忆体少，停用时（inactive）更无需用电。

目前次世代记忆体包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量产难度较高。现在三星只能少量生产，但是预期能尽速克服生产障碍。

三星同时宣布，欧洲大厂恩智浦半导体（NXP Semiconductors）的物联网半导体将採用 MRAM，双方签订晶圆代工协定，将量产 28 奈米的全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）。

IBTimes 猜测，倘若三星 MRAM 量产进展顺利，或许今年下半问世的 Galaxy Note 8 就会内建 MRAM，以便做出市场区隔。MRAM 用于智慧手机可加快处理速度，并更为省电。