三星 NAND 记忆体新厂施工顺遂，上半年有望如期投产

三星电子周二宣布，位在首尔南方的新晶片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。（韩联社）

三星新晶片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 兆韩圜（约 144 亿美元）建厂，为三星史上最大单一产线投资案。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。

新晶片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪记忆体。快闪记忆体可取代传统硬碟，并广泛应用于数位相机、智慧型手机与其他 USB 介面储存装置。

市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪记忆体龙头，受惠于供给吃紧、平均报价（ASP）飙升，三星 NAND 快闪记忆体当季报价增加 5%、单位出货量季增 11-15%，推升营收成长近两成（19.5%），市佔率来到 37.1%。

东芝同期间 NAND 记忆体市佔率达 18.3%，暂居第二。Western Digital 紧追在后，仅差东芝 0.6 个百分点。