迎战 7 奈米，英特尔、台积电等巨头们是这样做的

半导体研究机构 ICinsights 于 2017 年 3 月 3 日公告中指出，2017 年有 11 家半导体厂资本支出预算超过 10 亿美元，佔全球半导体产业总合的 78%。而 2013 年，全球仅有 8 家半导体厂资本支出预算超过 10 亿美元水平。前十大厂有两家今年资本支出成长在两成以上，分别是英特尔的 25% 与格罗方德的 33%。

为了进一步发展生产製程，英特尔将在 2017 年建立一座 7 奈米製程的实验工厂。该实验工厂将会测试 7 奈米晶片生产製程。不过，虽然英特尔并未提及会在何时开始这种製程晶片的量产，外界认为至少在未来 2 到 3 年内不会实现。

英特尔表示，7 奈米製程将为晶片带来更大的设计变化，使其体积变得更小，也更为节能。英特尔计划使用奇特的 III-V 材料（比如氮化镓）来进行晶片生产，在提高性能速度的同时也达到更长续航能力。同时，他们将会在生产中引入极紫外线（EUV）工具，来协助进行更精细的功能蚀刻过程。

按照英特尔原来的"製程、架构、优化"等三步骤规划，7 奈米製程的处理器原本最快应在 2020 年出样、2021 年发货。事实上，根据业内推测，这些 7 奈米的处理器不太可能在 6 到 7 年内问世。

格罗方德去年因产能闲置，资本支出大减 62%。格罗方德已决定跳过 10 奈米，直接挑战 7 奈米製程，预料今年多数资本支出将用于採购新设备与技术研发。

此外，格罗方德在发展 7 奈米的同时把注意力放到实际应用上：22 奈米 FD-SOI（全耗尽型绝缘层覆硅）製程生产线，产品将能广泛运用于行动装置、物联网、汽车电子等领域。

在物联网浪潮下，FD-SOI 技术也日渐受到重视。与 FinFET 相比，FD-SOI 基板虽然较贵，但在掩模数量与製程比 FinFET 要少一些，降低部分光罩成本也缩减了製造时间，在技术上比 FinFET 更适合类比／混合讯号以及 RF，FD-SOI 还具备了低功耗的优势，因此，不少人认为 FD-SOI 将是物联网较佳选择，或能与 FinFET 互补。

该企业 2015 年推出 22 奈米 FD-SOI 平台后，去年 9 月进一步发表新 12 奈米 FD-SOI 技术。新一代 12 奈米 FD-SOI 产品，估计 2018 年底将于德国 Dresden Fab 1 投产，2019 年将 22 奈米 FD-SOI 生产重心转移至成都新厂。

在 2017 年 ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固态电路研讨会）上，台积电 5 篇论文获选（美国台积电 1 篇），2 篇论文为类比电路领域，记忆体电路设计则有 3 篇。

业界认为，台积电将领先业界在大会上发表 7 奈米 FinFET 技术。揭示迄今最小位元数 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的应用，验证 0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试晶片在 7 奈米製程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理晶片运算速度，同时满足低功率需求。

台积电、三星通常以 SRAM、DRAM 来练兵，先从记忆体下手，当良品率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 奈米年底量产、7 奈米最快 2018 年第一季生产。

三星在 10 月初抢先台积电宣布 10 奈米量产，市场近期传出台积电 7 奈米最快在明年 2017 就可试产，4 月接单。三星在 7 奈米就引进极紫外光微影设备，并预计 2017 年年底 7 奈米量产。