WD 宣布推出业界首款 512Gb，64 层堆叠 3D NAND 快闪记忆体

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快闪记忆体及储存设备大厂 Western Digital 于 22 日宣布，已在该公司的日本四日市工厂开始试产容量 512Gb、採用 TLC 技术的 64 层 3D NAND (BICS3) 的快闪记忆体晶片，并且预计于 2017 下半年开始进行量产。这款全球首创的快闪记忆体晶片，是 Western Digital 在快闪记忆体产业近 30 年以来，诸多创举中的最新力作。

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