Sony 又秀出外星科技：把 DRAM 记忆体夹入 CMOS，以后手机可拍摄 1,000fps 超慢动作效果

众所周知，Sony 在全球 CMOS 感光元件产业中佔有举足轻重的地位，不仅市佔率居冠，其研发能力亦不容小觑，在不久前 Sony 则进一步发表了可录製高达 1,000fps 慢动作的感光元件，未来预料为新的智慧型手机创造更多拍摄功能。

不久前 Sony 才发表了一款比米粒还小的微型感光元件，近日则进一步发表拍摄帧率可达 1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件，可见近期 Sony 在感光元件的研发上已不侷限于传统的画质、感光度等需求，而是往更多面向在研发新的感光元件科技。

这款新发表的 CMOS 尺寸为手机常用的 1/2.3”，换言之，这对现有手机厂商来说很可能不需要重新设计镜组与电路结构，它提供了 2,120 万的有效画素，解析度为 5,520×3,840，单就画素数已可媲美单眼 CMOS，在动态录影时更可提供 Full HD 画质、高达 1,000fps 的超高幅率，远远超出目前市面上所有手机的规格，例如 Google Pixel 最快也仅有 240fps 的慢动作录影模式。

这是笔者之前利用 Sony RX100 Mark IV 录製的 960fps 影片，这样你就可以知道 1,000fps 是什么样的世界了：

实际上这并非 Sony 第一次推出录影帧率达 1,000fps 的产品，在之前推出的 RX10 Mark III 以及 RX100 Mark IV 就具备了 HFR 录影模式，可提供高达 960fps 的超高帧率，如果用 24fps 输出影片的话则相当于 40 倍慢速。不过这是相机使用的 1 吋 CMOS 感光元件，其画质也非真正的 1080p，若 Sony 能将画质更佳、幅率更高的感光元件塞入手机的 1/2.3” 尺寸，这无疑是一项惊人之举。

之所以能达到如此高的帧率，祕诀就在 Sony 改进了感光元件的製程，在基于"堆叠式" CMOS 的双层结构上做出了改进。而据我们所知，堆叠式感光元件的两层结构由成像区域（Pixel Section）与处理迴路（Circuit Section）构成，特点是像素区域为背照式（BSI）结构，其特性是具有背照式的优点，并加强处理迴路使之兼容高速录影的能力。

而 Sony 所做的，就是在这两层结构之中加入了 DRAM 记忆体，使感光元件拥有自己的暂存区，让这块 DRAM 单独处理所有录製进来的影像数据，进而达到短时间内处理大量资料的性能。这让这块 CMOS 仅需要 1/120 秒的时间即可输出 19.3 MP 的影像，并且大幅改善高速快门下所产生的果冻效应。

目前 Sony 仅释出此感光元件的技术与範例影片，仍未知是否会有手机品牌採用，单从影片看来其 Full HD 画质很明显比起 RX10 Mark II 与 RX100 Mark IV 要好得多，未来就看这项外星科技会搭载在哪支新手机上了。