资本开支飙，记忆体获利恐在年中触顶

记忆体供应紧俏，业者获利直线上冲，口袋赚饱饱。外资警告，厂商砸钱增产，DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能会在今年年中触顶。

霸荣（Barron’s）7 日报导，Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 表示，记忆体业者的资本开支超过 50 亿美元，是毛利触顶的预兆，2013 年第四季和 2015 年 Q1、Q3 都是如此（见下图）。该行估计，2017 年 Q1、Q2 记忆体业的资本开支都高于 50 亿美元门槛；由此看来，2017 年毛利率可能会在年中或年末触顶。

（Source：Flickr/tiernantech CC BY 2.0）

Hosseini 警告，苹果採购完 iPhone 8 所需的记忆体之后，相关需求可能骤减。报告称，今年下半 NAND 供给将转为宽鬆，主因 48 层 NAND 製程加速转往 64 层，而且三星平泽（Pyeongtaek）厂也启用。与此同时，Kingstom 等模组厂的库存增加至 6~8 週水位，打算趁着苹果 iPhone 8 下单 NAND 时，推升实际销售。

报告称，记忆体业者中，Western Digital（WD）、SanDisk 毛利率波动较小，情况优于美光（MU）、SK 海力士（SK Hynix）、三星电子。这是因为 WD、SanDisk 不受 DRAM 市场力量冲击，而且都和日厂东芝（Toshiba）合资生产，可分担成本。