Panasonic 携联电研发次世代 ReRAM；採 40nm、明年送样

Panasonic 1 日发布新闻稿宣布，旗下半导体子公司 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.（以下简称 PSSC）将和台湾联电（UMC）携手研发"可变电阻式记忆体"（ReRAM）的次世代（40nm）量产製程。

ReRAM 和现行已广为普及的快闪记忆体（Flash Memory）一样，是非挥发性记忆体的一种，其特色就是结构简单、处理速度快以及低耗电力，而 PSSC 已于 2013 年量产採用 180nm 製程技术的 ReRAM 产品。

Panasonic 指出，此次的合作将融合 PSSC 研发的 40nm ReRAM 製程技术和联电高可靠度 CMOS 製程技术，而 PSSC 将在 2018 年进行 40nm ReRAM 的样品出货。

据日经新闻报导，Panasonic 上述採用 40nm 製程技术的 ReRAM 产品将在 2019 年进行量产，其中 Panasonic 负责设计、回路形成等製造技术将由双方携手研发，量产工作将委由联电负责，且 Panasonic 计划早期将该 40nm ReRAM 年营收提高至 50 亿日圆左右的水準。

据报导，和现行主流的记忆体相比，ReRAM 耗电力可缩减至七分之一，而 Panasonic 目标是藉由 ReRAM 取代三星、东芝所量产的 NAND 型快闪记忆体部分市场。