SK 海力士发表全球最高密度行动 8GB DRAM

SK 海力士周一发表全球最高密度、低耗能行动 DRAM，将应用于未来智慧型手机上。

海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道晶片打造出低耗电 DDR4X 行动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标準而言，SK 海力士新记忆体晶片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。（koreaherald.com）

另外，与现有产品相比，8GB LPDDR4X 封装面积减少三成，厚度减少 1 厘米，这让手机业者在设计上有更多运用空间。SK 海力士打算推广新晶片应用範围至笔电、汽车电子与其他行动装置。

据市调机构 IHS 预测， 8GB 行动 DRAM 今年将可以看到需求，高阶智慧型手机将最为明显，如三星下一代旗舰机 Galaxy S8 是否会採用 8GB RAM，现已成为市场讨论话题。