美光宣布 3D NAND 快闪记忆体年底前大量投产

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本周宣布正式合併台塑旗下记忆体厂华亚科的美商记忆体大厂美光 （Micron） 在 15 日表示，由于该公司的 3D NAND 快闪记忆体产能日前正式超过 2D NAND 快闪记忆体。其中，包括第 1 代 3D NAND 快闪记忆体的成本也符合预期，堆叠层数达到 64 层的第 2 代 3D NAND 快闪记忆体也在已经準备完成，预计将在 2016 年底要正式大规模量产。

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