行动装置的记忆体不断扩大!三星电子宣布,智慧手机将进入 8GB DRAM 年代,该公司已经开始生产,外界预料将用于明年初问世的 Galaxy S8。
韩联社报导,三星电子 20 日发布业界首见的 8GB 行动 DRAM。新晶片採用 10 奈米製程,由 4 个 16Gb 的 LPDDR4 晶片组成。三星执行副总 Joo Sun Choi 表示,8GB 行动 DRAM 的到来,可让次世代旗舰机的功能更上一层楼。
目前智慧手机行动 DRAM 最大为 6GB,记忆体加大可满足双镜头、4K 萤幕、虚拟实境(VR)等的需求。三星并宣称,新品效能与当前高阶超薄笔电的 8GB DRAM 相当。採用 10 奈米製程也让新品更为省电,功耗更少。