Western Digital 发表全球首个 64 层 3D NAND 记忆体技术

Western Digital 公司 28 日宣布成功开发下一代 3D NAND 技术 BiCS3，具有 64 层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产，预计今年稍晚即开始正式生产。Western Digital 预估 BiCS3 在 2017 上半年开始商业量产。
Western Digital 记忆体技术部门执行副总裁 Siva Sivaram 博士表示："运用我们领先业界 64 层架构为基础，推出下一代 3D NAND 技术，将增强我们在 NAND 快闪技术的领导地位。BiCS3 採用了 3 位元（3-bits- per-cell）技术，并在高深宽比半导体处理上实现进展，能够以更优成本提供更高容量、出色效能，并具有更高的可靠度。加上 BiCS2，我们的 3D NAND 产品组合将大幅扩充，提升了我们满足零售、行动与资料中心整体客户应用需求的能力。"

Western Digital 发表全球首个 64 层 3D NAND 记忆体技术 BiCS3 是 Western Digital 和其技术及製造伙伴 Toshiba 携手开发的结晶，初期将提供 256gigabit 容量规格，日后还会扩充至一颗晶片 0.5 terabit 的容量。Western Digital 预计 BiCS3 产品在 2016 年第四季向零售市场大量出货，本季开始向 OEM 厂商送样，上一代 3DNAND 技术的 BiCS2 仍会继续向零售与 OEM 客户供货。

（首图来源：达志影像）