东芝超车三星,拟于 Q3 生产 64 层 NAND Flash



三星电子的 3D NAND Flash 霸主宝座出现危机?三星是第一家开发出 3D NAND Flash 业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产 64 层 3D NAND Flash 的厂商。

BusinessKorea 20 日报导,2013 年三星电子率先製造 3D NAND,东芝直到今年春天才加入生产行列,不过却以光速追上对手,计划今年第三季生产全球首见的 64 层 3D NAND Flash,比三星快了一季。

64 层 3D NAND Flash 极为重要,业界认为 64 层 3D NAND Flash 的出现,代表平面 NAND Flash 时代划上句点。3D NAND Flash 採垂直堆叠,可提高记忆体容量和速度,表现优于平面 NAND Flash。

儘管东芝来势汹汹,半导体专家指出,东芝和三星仍有技术差距,两家公司最大不同在于控制闸(control gate)技术,三星採用 TANOS、东芝使用 SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠,但是缺点在于製程较为複杂、生产力较低。

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