美光连涨 9 天飙 31%！三星传 DRAM 缩手，NAND 下半年夯

北美半导体设备 BB 值连 5 个月高于 1，再加上半导体设备业龙头厂商应用材料（Applied Materials Inc.）直指投资活动逐渐从 DRAM 转到 NAND 型快闪记忆体，让美国记忆体大厂美光（Micron Technology, Inc.）股价在 5 月 18 日触底反弹，一口气连涨 9 个交易日之多，涨势相当惊人。

美光 5 月 31 日终场跳涨了 3.33%、收 12.72 美元，平 1 月 12 日以来收盘新高，股价带量冲过颈线；以收盘价计算，过去 9 个交易日共计狂涨了 31.54%，从月 KD 已在 4 月低档黄金交叉来看，过去半年来美光股价也有底部成形的味道。

barron`s.com 报导，R.W. Baird 分析师 Tristan Gerra 5 月 31 日发表研究报告指出，三星电子（Samsung Electronics Co.）可能会在 2016 年下半年把一大部分的 DRAM 产能转移到 NAND 型快闪记忆体，同时将 18 奈米製程产能初步拉高。

Gerra 认为，下半年 NAND 的产业市况相当乐观，主要是拜 iPhone 7 的储存容量增加（该款智慧手机应会增添 256GB 版本）、PC 加速採纳固态硬碟（SSD）之赐。他说，这会让 NAND 定价在下半年稳定走扬。

不仅如此，虽然下半年 DRAM 均价或许每季都将下滑 10%，但美光因为採用 20 奈米製程技术，下半年的 DRAM 成本有望比上半年降低 10-15%。基于上述原因，Gerra 决定将美光的投资评等从"中立"调高至"表现优于大盘"。

TheStreet.com 5 月 20 日报导，应材在财报电话会议上指出，投资活动逐渐从 DRAM 转到 NAND 型快闪记忆体，估计 2016 年下半年 DRAM 的资本支出会年减至少 25%，NAND 则会年增 35%。

Sterne Agee 证券发表研究报告指出，这两个趋势都意味着美光的毛利率长期看俏，因为 DRAM 支出下滑有望让供需止稳，降低定价压力，而 NAND 支出上扬就有望拉高产能利用率，逐渐推升毛利，因为 3D NAND 的毛利比其他产品还高。

Seeking Alpha 5 月 18 日报导，Bernstein 发表研究报告将美光的目标价上修 1 美元至 11 美元，指称三星的 DRAM 供应成长正在趋缓当中。该证券预估，从 2015 年起 DRAM 出现的供给严重过剩景况将缓解，明年下半年料转趋短缺。